[发明专利]氮化物系半导体发光元件、照明装置、液晶显示装置以及照明装置的制造方法无效
| 申请号： | 201080042883.2 | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102648535A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 横川俊哉;井上彰;藤金正树;大屋满明;山田笃志;矢野正 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的照明装置是至少具备第一以及第二氮化物系半导体发光元件的照明装置，第一以及第二氮化物系半导体发光元件各自都具备半导体芯片，半导体芯片包括由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)半导体形成的氮化物系半导体层叠构造(45)，氮化物系半导体层叠构造(20)包括由氮化物半导体层构成的活性层区域(24)，上述活性层区域从m面倾斜1°以上的角度，上述活性层区域层叠构造中的主面的法线和m面的法线形成的角度为1°以上且5°以下，第一以及第二氮化物系半导体发光元件分别从活性层区域(24)射出偏振光，在设第一以及第二氮化物系半导体发光元件射出的偏振光的波长为λ1以及λ2，设第一以及第二氮化物系半导体发光元件的半导体芯片(45)的厚度为d1以及d2时，满足λ1＜λ2且d1＜d2的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 照明 装置 液晶 显示装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种照明装置，是至少具备第一氮化物系半导体发光元件以及第二氮化物系半导体发光元件的照明装置，上述第一氮化物系半导体发光元件以及上述第二氮化物系半导体发光元件各自都具备半导体芯片，上述半导体芯片包括由AlxInyGazN半导体形成的氮化物系半导体层叠构造，上述氮化物系半导体层叠构造包括由氮化物半导体层构成的活性层区域，其中，x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0，上述活性层区域从m面倾斜1°以上的角度，上述活性层区域中的主面的法线和m面的法线形成的角度为1°以上且5°以下，上述第一氮化物系半导体发光元件以及上述第二氮化物系半导体发光元件分别从上述活性层区域射出偏振光，在设上述第一氮化物系半导体发光元件以及上述第二氮化物系半导体发光元件射出的偏振光的波长分别为λ1以及λ2，设上述第一氮化物系半导体发光元件以及上述第二氮化物系半导体发光元件的半导体芯片的厚度分别为d1以及d2时，满足如下关系：λ1＜λ2且d1＜d2。
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