[发明专利]用于基于氮化镓或其它氮化物的功率装置的含有锗的低欧姆触点无效
| 申请号： | 201080042889.X | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102576729A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 贾迈勒·拉姆达斯 | 申请（专利权）人： | 国家半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种设备，其包括衬底(120)、所述衬底上的III族氮化物层(102、104、106)及所述III族氮化物层上的电触点(108a、108b)。所述电触点包括具有多个导电材料层(110到116)的堆叠，且所述堆叠中的所述层中的至少一者包括锗。所述堆叠中的所述层可包括接触层(116)，其中所述接触层包括铝铜。所述堆叠可包括钛或钛合金层、铝或铝合金层，以及锗或锗合金层。所述堆叠中的所述层中的至少一者可包括具有在约1％与约5％之间的锗含量的铝或钛合金。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基于 氮化 其它 氮化物 功率 装置 含有 欧姆 触点 | ||
【主权项】：
一种设备，其包含：衬底；III族氮化物层，其位于所述衬底上；及电触点，其位于所述III族氮化物层上，所述电触点包含具有多个导电材料层的堆叠，所述堆叠中的所述层中的至少一者包含锗。
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