[发明专利]反射光学元件和用于操作EUV光刻设备的方法无效
| 申请号： | 201080043761.5 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102576196A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | D.H.埃姆;A.多科纳尔;G.冯布兰肯哈根 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G21K1/06;G02B5/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 为了减小由EUV光刻设备中的二氧化硅、碳氢化合物和/金属构成的污染物对反射率的不利影响，提出一种用于极紫外波长范围的具有反射表面(59)的反射光学元件(50)，其中该反射表面(59)的多层镀膜具有由氟化物构成的顶端层(56)。在EUV光刻设备的操作期间沉积在反射光学元件(50)上的所提及的污染物通过添加以下所提及的至少一种物质而被转化为挥发性化合物：原子氢、分子氢、全氟化烷烃(例如四氟化甲烷)、氧、氮和/或氦。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 光学 元件 用于 操作 euv 光刻 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于极紫外波长范围的反射光学元件，所述反射光学元件具有反射表面，其中所述反射表面(59)具有多层镀膜，所述多层镀膜包括由氟化金属构成的顶端层(56)，其特征在于所述氟化金属从以下组中选择：氟化镧、氟化铝、冰晶石以及锥冰晶石。
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