[发明专利]制造碳化硅晶体的方法以及碳化硅晶体无效
| 申请号： | 201080043770.4 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102575383A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 西口太郎 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种通过升华来制造SiC晶体的方法，其中用于生长SiC晶体的气氛气体含有He。所述气氛气体可还含有N。所述气氛气体可还含有选自Ne、Ar、Kr、Xe和Rn中的至少一种气体。He在所述气氛气体中的分压优选为40％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 晶体 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种通过升华来制造碳化硅晶体(10)的方法，其中用于生长所述碳化硅晶体(10)的气氛气体包含氦气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080043770.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
