[发明专利]基于在浅沟槽隔离(STI)边缘局部引入的注入种类的场效应晶体管的漏电流控制

摘要

在静态存储器单元中，在利用绝缘材料填充隔离沟槽(203T)之前，透过该隔离沟槽(203T)的侧壁(203S)在主动区(202C)的端部纳入注入种类可显着降低形成连接该主动区(202C)与该隔离区(203)上方的栅极电极结构(210A)的接触组件时的失效率。该注入种类可为P型掺杂种类和/或惰性种类，以显着改变该主动区(202C)的该端部的材料特性。

主权项

一种方法，包括：在半导体装置的半导体材料(202)中形成隔离沟槽(203T)，该隔离沟槽(203T)具有侧壁(203S)，其连接该半导体装置的存储器单元的第一晶体管的主动区(202C)，该侧壁(203S)沿长度方向界定该主动区(202C)；透过该侧壁(203S)的至少其中部分向该主动区(202C)的部分引入注入种类，该注入种类自该侧壁(203S)向该主动区(202C)内沿该长度方向延伸特定距离；引入该注入种类后，利用绝缘材料填充该隔离沟槽(203T)，以形成隔离结构(203)；在该主动区(202C)之中及其上方形成该第一晶体管；在该隔离结构(203)上方形成该存储器单元的第二晶体管的栅极电极(210A)的部分；形成介电材料(220)以包围该第一晶体管及该第二晶体管；以及在该介电材料(220)中形成接触组件(221B)，该接触组件(221B)连接该主动区(202C)与该第二晶体管的该栅极电极(210A)的该部分。