[发明专利]半导体器件、其制造方法及其制造装置有效
| 申请号： | 201080044368.8 | 申请日： | 2010-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN102549756A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木胜 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/316;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;彭益群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件的制造方法包括隔着栅极绝缘膜在基板的表面上形成栅电极，在栅电极的侧表面上形成绝缘膜，和将氧等离子体暴露到基板的表面上。基板的表面附近的氧等离子体的电子温度等于或低于约1.5eV。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：隔着栅极绝缘膜在基板的表面上形成栅电极；在所述栅电极的侧表面上形成绝缘膜；和将氧等离子体暴露到所述基板的所述表面上，所述基板的所述表面附近的氧等离子体的电子温度等于或低于约1.5eV。
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