[发明专利]催化CVD装置、膜的形成方法、太阳能电池的制造方法和基材的保持体有效
| 申请号： | 201080044569.8 | 申请日： | 2010-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN102575343A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 岛正树;若宫要范;大园修司;冈山智彦;小形英之 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/24;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在催化CVD装置(100)中，保持体300)具有用于防止从催化剂丝(11)所放出的辐射线向基材(200)侧反射的防反射结构。 | ||
| 搜索关键词： | 催化 cvd 装置 形成 方法 太阳能电池 制造 基材 保持 | ||
【主权项】：
一种催化CVD装置，其特征在于：其对设置于反应室内且被加热的催化剂丝供给原料气体，使所生成的分解产物沉积于在所述反应室内由保持体所保持的被成膜基材上，进行成膜，所述保持体具有用于防止从所述催化剂丝放出的辐射线反射的防反射结构。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
