[发明专利]固态图像拾取装置有效
申请号: | 201080044598.4 | 申请日: | 2010-10-06 |
公开(公告)号: | CN102576718A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 大贯裕介;山下雄一郎;小林昌弘 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 光电转换部、电荷保持部、传送部和感测节点被形成在P型阱中。电荷保持部被配置为在与光电转换部不同的部分中包括作为保持电荷的第一半导体区的N型半导体区。具有比P型阱更高的浓度的P型半导体区被布置在N型半导体区之下。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像 拾取 装置 | ||
【主权项】:
一种包括像素的固态图像拾取装置,所述像素包括:光电转换部,被配置为根据入射光产生电荷;电荷保持部,被配置为包括在与所述光电转换部不同的部分中保持由所述光电转换部产生的电荷的第一导电类型的第一半导体区;以及传送部,被配置为包括控制所述电荷保持部与感测节点之间的电势的传送栅极电极,其中第二导电类型的第二半导体区被布置在所述第一半导体区之下,以便与所述第一半导体区一起形成PN结,并且其中所述第二半导体区的第二导电类型的杂质浓度比在所述传送栅极电极之下并且处于与所述第二半导体区相同的深度的区域的第二导电类型的杂质浓度高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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