[发明专利]利用倾斜蒸镀的光刻方法有效
| 申请号： | 201080044742.4 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102714140A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 慎容范;李承雨 | 申请（专利权）人： | 韩国生命工学研究院 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用倾斜蒸镀的光刻方法，所述方法的特征在于包括：步骤(1)，在基板上表面涂布抗蚀剂；步骤(2)，利用光刻工艺使所述抗蚀剂图案化；步骤(3)，在图案化后的所述抗蚀剂的上层倾斜蒸镀第一薄膜材料，形成变形的图案掩膜；步骤(4)，通过变形的所述图案掩膜，在所述基板的上表面蒸镀第二薄膜材料；及步骤(5)，去除涂布在所述基板的上表面的抗蚀剂。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 倾斜 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种利用倾斜蒸镀的光刻方法，其特征在于，包括：步骤(a)，在基板上表面涂布抗蚀剂；步骤(b)，利用光刻工艺使所述抗蚀剂图案化；步骤(c)，在图案化后的所述抗蚀剂的上层倾斜蒸镀第一薄膜材料，形成变形的图案掩膜；步骤(d)，通过所述变形的图案掩膜，在所述基板的上表面蒸镀第二薄膜材料；及步骤(e)，去除被涂布在所述基板的上表面的抗蚀剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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