[发明专利]用于低失真可编程增益放大器的动态开关驱动器有效

专利信息
申请号: 201080045721.4 申请日: 2010-08-16
公开(公告)号: CN102577111A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: G·K·赫伯特 申请(专利权)人: 塔特公司
主分类号: H03G1/00 分类号: H03G1/00;H03K17/06
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;夏青
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于切换时变输入信号的开关电路,该开关电路包括:包含N沟道MOSFET(MB)和P沟道MOSFE(MA)的至少一个开关,所述N沟道MOSFET(MB)和P沟道MOSFE(MA)均具有被配置成接收用于改变所述开关的导通/关断状态的驱动信号的栅极;以及驱动电路(5DC),所述驱动电路被配置和设置成选择性施加用于改变所述开关的导通/关断状态的一对驱动信号,所述驱动电路被配置和设置生成作为下述内容的函数的驱动信号:(a)足够改变所述开关的导通/关断状态的一对DC信号分量,以及(b)作为出现在每个MOSFET的源极端子上的信号的至少部分复制的一对时变信号分量(Vonn,Vonp),以使得当分别向所述n沟道和p沟道MOSFET的栅极施加DC信号时,所述驱动信号将处于保持所述开关的导通/关断状态并且将每个MOSFET的栅极—源极电压保持在MOSFET的栅极—源极击穿限制内的适当水平。
搜索关键词: 用于 失真 可编程 增益 放大器 动态 开关 驱动器
【主权项】:
一种用于切换时变输入信号的开关电路,所述开关电路包括:至少一个开关,包括N沟道MOSFET和P沟道MOSFET,所述N沟道MOSFET和所述P沟道MOSFET均具有被配置为接收驱动信号以改变所述开关的导通/关断状态的栅极;以及驱动电路,被配置和设置成选择性施加一对驱动信号来改变所述开关的导通/关断状态,所述驱动电路被配置和设置成生成作为下述内容的函数的驱动信号:(a)足够改变所述开关的导通/关断状态的一对DC信号分量,以及(b)作为出现在每个MOSFET的源极端子上的信号的至少部分复制的一对时变信号分量,以使得当所述n沟道MOSFET和所述p沟道MOSFET的栅极分别施加有DC信号时,所述驱动信号将处于保持所述开关的所述导通/关断状态并且将每个MOSFET的栅极—源极电压保持在所述MOSFET的栅极—源极击穿限制内的适当水平。
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