[发明专利]分栅式场效应晶体管有效
| 申请号： | 201080046269.3 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102598274A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | K.特里尔;G.杨;C.帕克 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 丁艺;沙捷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种分栅式场效应晶体管装置。该装置包括分栅式结构，其具有沟槽、栅电极和源电极。第一多晶硅层被设置在该沟槽内，并被连接到栅电极上。第二多晶硅层被连接到源电极上，其中，该第一多晶硅层和第二多晶硅层是独立的。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅式 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种分栅式场效应晶体管装置，包括：分栅式结构，具有沟槽、栅电极和源电极；第一多晶硅层，被设置在所述沟槽之内，并且连接到所述源电极；第二多晶硅层，连接到所述栅电极，其中，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层是独立的。
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