[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080046492.8 | 申请日： | 2010-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102576736A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;鱼地秀贵;中村康男;菅尾惇平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 对于以显示装置为代表的半导体器件，一个目的是提供大尺寸或高清晰度屏幕对其可适用并且具有高显示质量并且稳定操作的极可靠半导体器件。通过使用包含Cu的导电层作为长引线布线，抑制布线电阻的增加。此外，包含Cu的导电层按照如下方式来设置：使得它没有与其中形成了TFT的沟道区的半导体层重叠，并且由包含氮化硅的绝缘层围绕，由此能够防止Cu的扩散；因此能够制造极可靠的半导体器件。具体来说，作为半导体器件的一个实施例的显示装置甚至在其尺寸或清晰度增加时也能够具有高显示质量并且稳定操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底之上的包含氮化硅的第一绝缘层；所述第一绝缘层之上的包含Cu的第一导电层；所述第一导电层之上的覆盖所述第一导电层的第二导电层；所述第二导电层之上的包含氮化硅的第二绝缘层；所述第二绝缘层之上的岛状半导体层；所述岛状半导体层之上的用作源电极和漏电极的一对第三导电层；所述第三导电层对之上的包含氮化硅的第三绝缘层；第四导电层，通过设置在所述第三绝缘层中的开口电连接到所述第三导电层对中的一个；第五导电层，包含Cu并且与所述第四导电层重叠；第四绝缘层，包含氮化硅并且覆盖所述第五导电层；以及第六导电层，通过设置在所述第三绝缘层和所述第四绝缘层中的开口电连接到所述第三导电层对中的另一个，其中所述第一导电层和所述第五导电层没有与其中形成薄膜晶体管的沟道的所述岛状半导体层重叠。
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