[发明专利]包括集成的背面反射器和芯片附接的发光二极管有效
| 申请号： | 201080046495.1 | 申请日： | 2010-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102612760A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | M·J·伯格曼;K·W·哈贝雷恩;B·E·威廉斯;W·T·帕克;A·F-Y·潘;D·苏;M·多诺弗里奥 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 方世栋;王忠忠 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括：具有第一(120A)和第二(120B)相对的面的碳化硅衬底(120)，所述第一面上的二极管区域(110)，与所述碳化硅衬底相对的在所述二极管区域上的阳极(112)和阴极(114)触点以及与所述二极管区域相对的在所述碳化硅衬底上的混合反射器(132，134)。所述混合反射器包括透明层(132)和反射层(232)，所述透明层(132)具有低于所述碳化硅衬底的折射率的折射率，所述反射层(232)在所述透明层上，与所述衬底相对。可以在所述混合反射器上提供芯片附接层，与所述碳化硅衬底相对。可以在所述混合反射器和所述芯片附接层之间提供阻挡层(432)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 集成 背面 反射 芯片 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：具有第一和第二相对的面的碳化硅衬底；在所述第一面上并且包括其中的n‑型层和p‑型层的二极管区域；欧姆性地接触所述p‑型层并且与所述碳化硅衬底相对而在所述二极管区域上延伸的阳极触点；欧姆性地接触所述n‑型层并且也与所述碳化硅衬底相对而在所述二极管区域上延伸的阴极触点；包括所述碳化硅衬底的所述第二面上的二氧化硅的层；以及包括在所述包括二氧化硅的层上的铝的层，与所述碳化硅衬底相对。
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