[发明专利]半导体材料内不连续性的探测有效
| 申请号： | 201080046719.9 | 申请日： | 2010-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN102575993A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 托斯顿·特鲁普克;约尔根·韦伯;伊恩·安德鲁·麦克斯威尔;罗伯特·安德鲁·巴多斯;格拉汉姆·罗伊·阿特金斯 | 申请（专利权）人： | BT成像股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01N21/892;H01L21/66;G01B11/30;G01N21/958 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 刘守宪 |
| 地址： | 澳大利亚新南威尔士萨里*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 本发明所公开的方法和系统，其中，在半导体样品内部横向散射的光被成像，从而对一些如裂纹的不连续性进行探测。所述光可以通过采用外部光源被引入样品中，或者可以作为长波长的光致发光在原位产生。本发明所被描述的方法为关于晶片和光伏电池内部裂纹的探测，且所述方法原则上可被应用于任意的半导体晶片或薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 连续性 探测 | ||
【主权项】：
一种探测半导体材料内不连续性的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：a.产生并引导光穿过所述材料；b.采集所述材料的图像，其中所述图像包括从所述材料散射或透射出的光；以及c.识别所述图像中的光强差从而探测所述不连续性。
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