[发明专利]用于硅光伏电池生产的光致发光成像系统无效

专利信息
申请号: 201080046725.4 申请日: 2010-08-16
公开(公告)号: CN102575986A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 托斯顿·特鲁普克;伊恩·安德鲁·麦克斯威尔;约尔根·韦伯;罗伯特·安德鲁·巴多斯 申请(专利权)人: BT成像股份有限公司
主分类号: G01N21/62 分类号: G01N21/62;G01N21/88
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 刘守宪
地址: 澳大利亚新南威尔士萨里*** 国省代码: 澳大利亚;AU
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摘要: 发明涉及一种对一系列硅晶片进行光致发光成像的方法,本发明的方法包括采用波长大于808nm的入射光的步骤。本发明又提出了一种采用各种光照射、相机和滤波器的结合对硅半导体材料进行分析的方法。在另一个实施例中,相机被用于捕获整个光致发光响应,且长通滤波器被用于阻止一部分信号到达所述相机或探测器。
搜索关键词: 用于 硅光伏 电池 生产 光致发光 成像 系统
【主权项】:
一种采集硅晶片光致发光图像的方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:利用波长大于808nm的入射光来产生光致发光。
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