[发明专利]太阳电池中降低表面再结合与强化光捕捉无效
申请号: | 201080047452.5 | 申请日: | 2010-10-27 |
公开(公告)号: | CN102792453A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 迪帕克·瑞曼帕 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示用于提升太阳电池的一或多个介电层(302,303)的抗反射特性并降低所产生载子的表面再结合的方法。在某些实施例中,在介电层中引入掺杂剂,以提升其抗反射特性。在其他实施例中,在介电层(302,303)9中引入物质(800)以形成电场,由电场将少数载子以离开表面并朝触点的方式排斥。在另一实施例中,对抗反射涂层引入移动物质,藉此使载子被排斥离开太阳电池的表面。藉由在太阳电池的表面形成屏障,可降低表面处所不期望的再结合。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 降低 表面 结合 强化 捕捉 | ||
【主权项】:
一种提升太阳电池的效率的方法,包括:将第一掺杂物质引入太阳电池的顶面中,以形成射极,所述第一掺杂物质具有第一导电类型;将第二掺杂物质引入所述射极,所述第二物质具有与所述第一物质相反的导电类型;以及对所述顶面施用表面钝化层,藉此使所述第二掺杂物质自所述射极偏析并进入所述表面钝化层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司,未经瓦里安半导体设备公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080047452.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:滤芯组件及具有其的净水机
- 下一篇:一种带有湿式旋流塔板的脱硫塔
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的