[发明专利]使用铜类纳米颗粒高浓度分散液的导体膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201080047495.3 | 申请日： | 2010-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN102576584A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 川崎三津夫;和田仁;杉本将之;梶田治 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人京都大学;福田金属箔粉工业株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;H05K1/09;H05K3/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供通过短时间且低温处理得到的低电阻的导体膜及其制造方法。该制造方法包括：制备以Cu2O为主成分的铜类纳米颗粒的高浓度分散液的步骤Sa1；在基材上涂布上述高浓度分散液并干燥，得到以Cu2O为主成分的涂膜的步骤Sa2；在大气压中以200℃以下的温度对上述涂膜进行加热的步骤Sa3-1；和在还原性气氛中以250℃以下的温度对上述涂膜进行加热的步骤Sa3-2。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 纳米 颗粒 浓度 分散 导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种导体膜的制造方法，其特征在于，包括：制备以Cu2O为主成分的铜类纳米颗粒的高浓度分散液的步骤Sa1；在基材上涂布所述高浓度分散液并干燥，得到以Cu2O为主成分的涂膜的步骤Sa2；在大气压中以200℃以下的温度对所述涂膜进行加热的步骤Sa3‑1；和在还原性气氛中以200℃以下的温度对所述涂膜进行加热的步骤Sa3‑2。
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