[发明专利]修复低-K介电质损坏的方法无效
| 申请号： | 201080047573.X | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102598227A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·M·西拉德;竹下健二;安德鲁·D·贝利三世 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于修复具有有机化合物的硅基低-k介电层的损坏的方法，其中损坏处用附着于硅的羟基替代附着于硅的甲基。提供包含甲烷气体的修复气体。使所述修复气体形成等离子体，同时将压强维持在50mTorr以下。附着于硅的羟基被来自于由所述修复气体所形成的所述等离子体中的甲基所替代。 | ||
| 搜索关键词： | 修复 介电质 损坏 方法 | ||
【主权项】：
用于修复具有有机化合物的硅基低‑k介电层的损坏的方法，其中损坏使附着于硅的羟基替代附着于硅的甲基，所述方法包含：提供包含甲烷气体的修复气体；使所述修复气体形成等离子体，同时将压强维持50mTorr以下；用来自于由所述修复气体所形成的等离子体中的甲基替代附着于硅的羟基。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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