[发明专利]逻辑电路和半导体器件有效
| 申请号： | 201080047701.0 | 申请日： | 2010-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102576738A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;津吹将志;野田耕生 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/30;H01L21/8236;H01L27/08;H01L27/088;H03K19/0944;H03K19/096 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 逻辑电路包括：薄膜晶体管，具有使用氧化物半导体所形成的沟道形成区；以及具有端子的电容器，通过使薄膜晶体管截止来使端子之一进入浮动状态。氧化物半导体具有5×1019(原子/cm3)或更小的氢浓度，并且因此在没有生成电场的状态中实质上用作绝缘体。因此，薄膜晶体管的截止状态电流能够降低，从而引起抑制通过薄膜晶体管的电容器中存储的电荷的泄漏。相应地，能够防止逻辑电路的故障。此外，能够通过薄膜晶体管的截止状态电流的降低，来降低逻辑电路中流动的过量电流，从而导致逻辑电路的低功率消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 逻辑电路 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种逻辑电路，包括：具有第一端子和第二端子的薄膜晶体管，其中，所述第一端子和所述第二端子中的一个电连接到通过使所述薄膜晶体管截止而进入浮动状态的结点，以及其中，所述薄膜晶体管的沟道形成区使用氢浓度为5×1019原子/cm3或更小的氧化物半导体来形成。
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