[发明专利]清洁硅基底的表面的方法

摘要

本发明提供了一种清洁硅基底的表面的方法，所述的表面最初用二氧化硅层覆盖。该方法包含以下步骤：a)在反应室中将所述表面暴露于由氟化气体产生的射频等离子体下，导致二氧化硅层剥离，并且使氟化元素被吸附到硅基底的表面上，所述的暴露进行在60s到900s的范围内的时间，由等离子体产生的功率密度在10mW/cm2到350mW/cm2范围内，在反应室中的氟化气体的压力在10mTorr到200mTorr，硅基底的温度在300℃或更低；以及b)在反应室中将所述包括氟化元素的表面暴露于氢射频等离子体下，以从基底的表面消除氟化元素，所述的暴露进行在5s到120s的范围内的时间，由等离子体产生的功率密度在10mW/cm2到350mW/cm2范围内，在反应室中的氢的压力在10mTorr到1Torr，硅基底的温度在300℃或更低。

主权项

一种清洁硅基底的表面的方法，所述的表面被二氧化硅层覆盖；其特征在于，所述方法包含以下步骤：a)在反应室中将所述表面暴露于由氟化气体产生的射频等离子体下，导致二氧化硅层的剥离，并且使氟化元素被吸附到硅基底的表面上，所述的暴露在60s到900s的范围的时间内进行，由等离子体产生的功率密度在10mW/cm2到350mW/cm2的范围内，在反应室中的氟化气体的压力为10mTorr到200mTorr，硅基底的温度为300℃或更低；以及b)在所述反应室中将包括氟化元素的所述表面暴露于氢射频等离子体下，以从基底的表面消除氟化元素，所述暴露在5s到120s的范围的时间内进行，由等离子体产生的功率密度在10mW/cm2到350mW/cm2的范围内，反应室中氢的压力在10mTorr到1Torr，硅基底的温度为300℃或更低。