[发明专利]层叠的半导体器件无效
申请号: | 201080047911.X | 申请日: | 2010-09-24 |
公开(公告)号: | CN102598255A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | F·A·韦尔 | 申请(专利权)人: | 拉姆伯斯公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/60;H01L23/055;H01L23/045 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了一种层叠的半导体器件,其包括多个半导体裸片。每个裸片具有相反布置的第一表面和第二表面,其中焊盘形成在每个表面上。多个通孔将第一表面上的相应焊盘连接到第二表面上的相应焊盘。通孔包括耦合到半导体裸片上的相应的I/O电路的第一通孔群组,以及未耦合到在半导体裸片上的I/O电路的第二通孔群组。多个半导体裸片被层叠成使得多个半导体裸片中的第一半导体裸片中的第一通孔群组与在多个半导体裸片中的第二半导体裸片中的第二通孔群组的至少一部分的相应通孔对准。 | ||
搜索关键词: | 层叠 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种层叠的半导体系统,包括:多个半导体裸片,每个半导体裸片具有相反布置的第一表面和第二表面、形成在所述第一表面上的多个焊盘、形成在所述第二表面上的多个焊盘、以及将所述第一表面上的相应焊盘连接到所述第二表面上的相应焊盘的多个通孔,每个半导体裸片中的所述多个通孔包括耦合到所述半导体裸片上的相应I/O电路的第一通孔群组以及未耦合到所述半导体裸片上的I/O电路的第二通孔群组;其中所述多个半导体裸片被层叠成使得所述多个半导体裸片中的第一半导体裸片中的所述第一通孔群组与所述多个半导体裸片中的第二半导体裸片中的所述第二通孔群组的至少一部分的相应通孔对准。
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