[发明专利]层叠的半导体器件无效

专利信息
申请号: 201080047911.X 申请日: 2010-09-24
公开(公告)号: CN102598255A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: F·A·韦尔 申请(专利权)人: 拉姆伯斯公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/60;H01L23/055;H01L23/045
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了一种层叠的半导体器件,其包括多个半导体裸片。每个裸片具有相反布置的第一表面和第二表面,其中焊盘形成在每个表面上。多个通孔将第一表面上的相应焊盘连接到第二表面上的相应焊盘。通孔包括耦合到半导体裸片上的相应的I/O电路的第一通孔群组,以及未耦合到在半导体裸片上的I/O电路的第二通孔群组。多个半导体裸片被层叠成使得多个半导体裸片中的第一半导体裸片中的第一通孔群组与在多个半导体裸片中的第二半导体裸片中的第二通孔群组的至少一部分的相应通孔对准。
搜索关键词: 层叠 半导体器件
【主权项】:
一种层叠的半导体系统,包括:多个半导体裸片,每个半导体裸片具有相反布置的第一表面和第二表面、形成在所述第一表面上的多个焊盘、形成在所述第二表面上的多个焊盘、以及将所述第一表面上的相应焊盘连接到所述第二表面上的相应焊盘的多个通孔,每个半导体裸片中的所述多个通孔包括耦合到所述半导体裸片上的相应I/O电路的第一通孔群组以及未耦合到所述半导体裸片上的I/O电路的第二通孔群组;其中所述多个半导体裸片被层叠成使得所述多个半导体裸片中的第一半导体裸片中的所述第一通孔群组与所述多个半导体裸片中的第二半导体裸片中的所述第二通孔群组的至少一部分的相应通孔对准。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拉姆伯斯公司,未经拉姆伯斯公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080047911.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top