[发明专利]高驱动电流MOSFET有效
| 申请号： | 201080048042.2 | 申请日： | 2010-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102576731A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 朴宰垠;王新琳;陈向东 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成具有非对称源极和漏极的半导体器件100的方法。在一个实施例中，该方法包括在具有第一导电性的阱35的衬底5的第一部分上形成栅极结构15。在与其上存在所述栅极结构的衬底的第一部分邻近的衬底的部分中形成位于第一导电性的阱35内的第二导电性的源极区域20和第二导电性的漏极区域25。在漏极区域中形成第二导电性的掺杂区域30以在半导体器件的漏极侧提供集成双极晶体管，其中通过第一导电性的阱提供集电极，通过第二导电性的漏极区域提供基极并且通过存在于漏极区域中的第二导电性的掺杂区域提供发射极。还提供了通过上述方法形成的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 电流 mosfet | ||
【主权项】：
一种半导体器件100，所述器件包括：栅极结构15，存在于具有第一导电性的衬底5的沟道部分40的顶上；第二导电性的源极区域20，存在于所述沟道部分40的第一末端；以及第二导电性的漏极区域25，位于所述沟道的第二末端并包括所述第一导电性的掺杂区域30，其中所述第一导电性的掺杂区域30通过具有所述第二导电性的所述漏极区域的剩余部分与所述沟道区域40隔离，其中存在与所述半导体器件的所述漏极区域集成的双极晶体管区域，其中所述双极晶体管区域包括由所述第一导电性的所述掺杂区域提供的发射极、由具有所述第二导电性的所述漏极的所述剩余部分提供的基极以及由所述第一导电性的所述沟道提供的集电极。
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