[发明专利]用于提高衬底载体的性能的方法有效
| 申请号： | 201080048148.2 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102598239A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | J·曼古姆;W·E·奎因 | 申请（专利权）人： | 维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/683;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 侯海燕 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种修改衬底载体以提高处理性能的方法，包括在由衬底载体支撑的衬底上沉积材料或制造器件。然后根据它们在衬底载体上的对应位置测量在衬底上沉积的层的参数。使在衬底上制造的至少一些器件的测量的参数或沉积的层的特性与衬底载体的物理性质关联，以获得与衬底载体上的多个位置对应的衬底载体的多个物理性质。然后在衬底载体上的多个对应位置中的一个或更多个处修改衬底载体的物理性质，以根据衬底载体上的位置获得沉积的层或制造的器件的期望的参数。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 衬底 载体 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种修改衬底载体以提高处理性能的方法，所述方法包括：a.在由衬底载体支撑的衬底上沉积至少一层；b.根据其在衬底载体上的对应位置测量所述至少一层的参数；c.使与衬底载体上的多个位置中的至少一些对应的测量的参数与衬底载体的物理性质关联，以获得与衬底载体上的多个位置对应的衬底载体的多个物理性质；和d.在衬底载体上的多个对应位置中的一个或更多个处修改衬底载体的物理性质，以根据衬底载体上的位置获得至少一个沉积的层的期望的参数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司，未经维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080048148.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
