[发明专利]太阳能电池及制造所述太阳能电池的方法有效

专利信息
申请号: 201080048218.4 申请日: 2010-08-24
公开(公告)号: CN102598311A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: L·J·格林斯;G·李;P·C·巴顿;R·C·G·内伯;A·F·史塔生;Z·胡 申请(专利权)人: 荷兰能源建设基金中心
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0236
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 彭丽丹;过晓东
地址: 荷兰*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及由第一导电型半导体基底(1)制造太阳能电池的方法,所述半导体基底具有正面(2)和背面(3)。所述方法依次包括:对所述正面纹理化(102)以形成具纹理的正面(2a);通过第一导电型掺杂剂的扩散在具纹理的正面中形成(103)第一导电型掺杂层(2c)和在背面中形成(103)第一导电型背电场层(4);通过适用于保留具纹理的正面的纹理的蚀刻步骤从具纹理的正面除去(105;104a)第一导电型掺杂层;通过使第二导电型掺杂剂扩散到具纹理的正面中在具纹理的正面上形成(106)第二导电型层(6)。
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法
【主权项】:
由第一导电型半导体基底制造太阳能电池的方法,所述半导体基底具有正面和背面,所述方法包括:对所述正面纹理化以形成具纹理的正面以及对所述背面纹理化以形成具纹理的背面;部分平滑处理所述具纹理的背面,以及任选部分平滑处理所述具纹理的正面;通过第一导电型掺杂剂的扩散在所述背面中形成第一导电型背电场层;和通过使第二导电型掺杂剂扩散到所述具纹理的正面中在该具纹理的正面上形成第二导电型层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于荷兰能源建设基金中心,未经荷兰能源建设基金中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080048218.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top