[发明专利]长期成膜时的稳定性优异的In-Ga-Zn-O系氧化物烧结体溅射靶有效
| 申请号： | 201080048855.1 | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102597302A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 糸濑将之;矢野公规 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 翟赟琪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种溅射靶，其含有In、Zn、及Ga，包含表面与内部的化合物的晶型实质上相同的氧化物烧结体。 | ||
| 搜索关键词： | 长期 成膜时 稳定性 优异 in ga zn 氧化物 烧结 溅射 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其特征在于，含有In、Zn、及Ga，包含表面与内部的化合物的晶型实质上相同的氧化物烧结体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于出光兴产株式会社，未经出光兴产株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080048855.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钢轨断面规格通长波动控制方法
- 下一篇：聚酯瓶脱标机
- 同类专利
- 专利分类
