[发明专利]氧化物超导体用基材及其制造方法和氧化物超导体及其制造方法有效
| 申请号： | 201080048908.X | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102598159A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 吉积正晃;福岛弘之;畠山英之;山田穰;飞田浩史;和泉辉郎 | 申请（专利权）人： | 公益财团法人国际超电导产业技术研究中心;株式会社藤仓;古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;C01F5/02;C01G1/00;H01B12/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种氧化物超导体用基材，其具备：金属基板，在该金属基板上采用离子束辅助沉积法(IBAD法)而形成的MgO中间层，和在该中间层上直接形成的结晶取向性比上述中间层高的覆盖层；其中，所述MgO中间层是在所述覆盖层形成前实施加湿处理而形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 超导 体用 基材 及其 制造 方法 超导体 | ||
【主权项】：
一种氧化物超导体用基材，其特征在于，具备：金属基板，在该金属基板上采用离子束辅助沉积法即IBAD法而形成的MgO中间层，和在该中间层上直接形成的、结晶取向度比所述中间层高的覆盖层；其中，所述MgO中间层是在所述覆盖层形成前实施有加湿处理而形成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于公益财团法人国际超电导产业技术研究中心;株式会社藤仓;古河电气工业株式会社，未经公益财团法人国际超电导产业技术研究中心;株式会社藤仓;古河电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080048908.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种酸奶营养代餐食品
- 下一篇：肽化合物
