[发明专利]SiC 单晶晶片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201080048942.7 申请日: 2010-08-27
公开(公告)号: CN102597337A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 楠一彦;龟井一人;矢代将齐;小池淳一 申请(专利权)人: 住友金属工业株式会社
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B19/04;H01L21/02
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及能够生长晶片来源的缺陷得以抑制的优质外延膜的SiC单晶晶片,该SiC单晶晶片的表面变质层的厚度为50nm以下,SiC单晶部分中的氧含量为1.0×1017原子/cm3以下。该SiC单晶晶片可由高纯度SiC块状单晶制作,该高纯度SiC块状单晶通过使用氧含量100ppm以下的原料和氧浓度100ppm以下的非氧化性气氛的熔液生长法获得。
搜索关键词: sic 晶片 及其 制造 方法
【主权项】:
一种SiC单晶晶片,其特征在于,该SiC单晶晶片在表面具有至少含有Si、C和O(氧)的非单晶结构的变质层,所述变质层的厚度为50nm以下,并且,SiC单晶部分中的氧含量为1.0×1017原子/cm3以下。
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