[发明专利]SiC 单晶晶片及其制造方法有效
申请号: | 201080048942.7 | 申请日: | 2010-08-27 |
公开(公告)号: | CN102597337A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 楠一彦;龟井一人;矢代将齐;小池淳一 | 申请(专利权)人: | 住友金属工业株式会社 |
主分类号: | C30B29/36 | 分类号: | C30B29/36;C30B19/04;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及能够生长晶片来源的缺陷得以抑制的优质外延膜的SiC单晶晶片,该SiC单晶晶片的表面变质层的厚度为50nm以下,SiC单晶部分中的氧含量为1.0×1017原子/cm3以下。该SiC单晶晶片可由高纯度SiC块状单晶制作,该高纯度SiC块状单晶通过使用氧含量100ppm以下的原料和氧浓度100ppm以下的非氧化性气氛的熔液生长法获得。 | ||
搜索关键词: | sic 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种SiC单晶晶片,其特征在于,该SiC单晶晶片在表面具有至少含有Si、C和O(氧)的非单晶结构的变质层,所述变质层的厚度为50nm以下,并且,SiC单晶部分中的氧含量为1.0×1017原子/cm3以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友金属工业株式会社,未经住友金属工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080048942.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:超导线材用的带状基材及超导线材
- 下一篇:一种基于谱能比的数字信号分析方法