[发明专利]垂直整合的处理腔室有效
| 申请号： | 201080049075.9 | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102598240A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·J·K·奥尔加多 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述对大体上呈垂直定向的基板进行等离子体处理的方法和设备。基板被定位在承载件上，所述承载件包括至少两个大体上垂直定向的框架。所述承载件设置在等离子体腔室中，所述等离子体腔室具有定位在基板间的天线结构。多个等离子体腔室可耦接至具有转盘的传送腔室，所述转盘将承载件引导至目标腔室。装载器将基板在承载件与负载锁定腔室之间进行移动，在所述负载锁定腔室中基板被设置为大体上水平的位向。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 整合 处理 | ||
【主权项】：
一种用于基板的真空处理的系统，包括：负载锁定腔室；以及等离子体处理腔室，所述等离子体处理腔室耦接至所述负载锁定腔室并具有单一处理空间，所述处理空间藉由一个或更多个大体上垂直的天线分为两个处理区域，每一个处理区域经配置以接收呈大体上垂直定向的基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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