[发明专利]用于相变存储器的双脉冲写入有效
| 申请号： | 201080049214.8 | 申请日： | 2010-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102598143A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | D·考;J·卡尔布;B·克勒恩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/20;G11C13/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种方法，包括：在第一步骤中从高复位态至削弱复位态对相变材料进行写入；在第二步骤中从削弱复位态至置位态对相变材料进行写入；第二步骤的电流低于第一步骤；验证相变材料的参数，其中如果参数高于置位态的目标，则重复第一步骤中的写入、第二步骤中的写入以及验证，直到参数低于目标，其中，所述第一步骤的电流随着每次迭代降低一减量，但不变得低于所述第二步骤的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 脉冲 写入 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在第一步骤中从第一复位态至第二复位态对相变材料进行写入；在第二步骤中从所述第二复位态至置位态对所述相变材料进行写入，所述第二步骤的电流低于所述第一步骤的电流；验证所述相变材料的参数，其中如果所述参数高于所述置位态的目标，则重复所述第一步骤中的所述写入、所述第二步骤中的所述写入以及所述验证，直到所述参数低于所述目标，其中，所述第一步骤的电流随着每次迭代降低一减量，但不变得低于所述第二步骤的电流。
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