[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法有效

专利信息
申请号: 201080049249.1 申请日: 2010-10-05
公开(公告)号: CN102598327B 公开(公告)日: 2016-10-19
发明(设计)人: 贝恩德·巴克曼;阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔;诺贝特·斯塔特;沃尔特·韦格莱特;卡尔·魏德纳;拉尔夫·维尔特 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L25/075
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张春水;田军锋
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种光电子器件,具有带有连接区域(5)的支承体本体(3)。在支承体本体(3)上设有半导体芯片(7)。在半导体芯片(7)的背离支承体本体(3)的表面(8)上施加接触区域(10)。连接区域(5)经由无支承的传导结构(13)与接触区域(10)导电连接。描述了一种用于制造光电子器件的方法。
搜索关键词: 光电子 器件 用于 制造 方法
【主权项】:
用于制造光电子器件(1)的方法,所述光电子器件具有:‑支承体本体(3),具有:‑‑连接区域(5);‑‑底面,以及‑‑覆盖面;‑设置在所述支承体本体(3)的覆盖面上的半导体芯片(7);‑施加在所述半导体芯片(7)的背离所述支承体本体(3)的表面(8)上的接触区域(10);所述方法具有下述方法步骤:‑将牺牲物质(16)施加到所述半导体芯片(7)、所述接触区域(10)和/或所述连接区域(5)的背离所述支承体本体(3)的底面的外面上;‑移除在所述接触区域(10)之上和在所述连接区域(5)之上的所述牺牲物质(16);‑在所述接触区域(10)和所述连接区域(5)之间施加传导结构(13),使得所述接触区域(10)与所述连接区域(5)导电连接;‑移除所述牺牲物质(16),使得‑‑在所述接触区域(10)和所述连接区域(5)之间的所述传导结构(13)是无支承的,‑‑所述传导结构(13)具有背离所述半导体芯片(7)的脚部部段(13f)和朝向所述半导体芯片(7)的头部部段(13k),其中所述脚部部段(13f)具有在所述连接区域(5)上的空间延伸,和/或,所述头部部段(13k)具有在所述接触区域(10)上的空间延伸,‑‑所述传导结构(13)在其脚部部段(13f)和其头部部段(13k)之间不仅在从上看的俯视图中而且在侧视图中具有S形状,‑‑所述脚部部段(13f)和所述头部部段(13k)成面地构成并且分别在纵向(X)和在横向(Y)中伸展,‑‑所述传导结构(13)在其整个延伸上具有均匀的传导结构宽度(17),并且‑‑所述传导结构宽度(17)从20μm直至所述半导体芯片(7)在横向(Y)上的整个延伸。
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