[发明专利]保护膜形成用化学溶液有效
申请号: | 201080049331.4 | 申请日: | 2010-10-20 |
公开(公告)号: | CN102598221B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 斋藤真规;荒田忍;斋尾崇;公文创一;七井秀寿;赤松佳则 | 申请(专利权)人: | 中央硝子株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种晶片的拒水性保护膜形成用化学溶液,其特征在于,其为包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液,所述拒水性保护膜形成剂用于在表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的清洗时至少在前述凹部表面形成拒水性保护膜,该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂。利用该化学溶液形成的拒水性保护膜可以防止清洗工序中的晶片的图案倾塌。 | ||
搜索关键词: | 保护膜 形成 化学 溶液 | ||
【主权项】:
一种在晶片上形成拒水性保护膜的方法,其特征在于,其包括以下步骤:采用拒水性保护膜形成用化学溶液表面处理在表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的至少所述凹部表面,其中该拒水性保护膜形成用化学溶液包含拒水性保护膜形成剂,其中该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂,其中所述非水溶性的表面活性剂为选自由以下的通式[1]所表示的化合物、通式[2]所表示的化合物及其盐化合物组成的组中的至少一种:
式[1]中,R1为包含碳原子数1~18的烃基的1价有机基团、或者包含碳原子数1~8的氟烷基链的1价有机基团,U表示选自由氟基、氯基、溴基以及碘基组成的组中的基团;R2R3R4N [2]式[2]中,R2为包含碳原子数1~18的烃基的1价有机基团、或者包含碳原子数1~8的氟烷基链的1价有机基团,R3为氢原子、或者包含碳原子数1~18的烃基的1价有机基团、或者包含碳原子数1~8的氟烷基链的1价有机基团,R4为氢原子、或者包含碳原子数1~18的烃基的1价有机基团、或者包含碳原子数1~8的氟烷基链的1价有机基团。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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