[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201080049798.9 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102598247A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;今井馨太郎;小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/00;H01L27/06;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/786;H03K19/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱孟清 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件包括：具有氧化物半导体层的晶体管；以及使用除氧化物半导体外的半导体材料所形成的逻辑电路。晶体管的源电极和漏电极之一电连接到逻辑电路的至少一个输入，并且至少一个输入信号通过晶体管施加到逻辑电路。晶体管的截止电流优选为小于或等于1×10-13A。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：包括氧化物半导体层的晶体管；以及使用除氧化物半导体外的半导体材料所形成的逻辑电路，其中所述晶体管的源电极和漏电极之一电连接到所述逻辑电路的至少一个输入，其中至少一个输入信号通过所述晶体管施加到所述逻辑电路，并且其中所述晶体管设置在所述逻辑电路上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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