[发明专利]获得与非极性和半极性P-型(Al，Ga，In)N低电阻接触的技术无效
| 申请号： | 201080049853.4 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102598207A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | Y-D·林;A·查克拉伯蒂;S·纳卡姆拉;S·P·德恩巴阿斯 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;张全信 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在非极性或半极性(Al，Ga，In)N器件上制造p型接触的方法包括步骤：在(Al，Ga，In)N器件上生长p型层，其中(Al，Ga，In)N器件是非极性或半极性(Al，Ga，In)N器件，且p型层是非极性或半极性(Al，Ga，In)N层；和在存在双(环戊二烯基)镁(Cp2Mg)的情况下，冷却p型层，以在p型层上形成镁-氮化物(MgxNy)层。在冷却步骤之后，进行金属沉积以在(Al，Ga，In)N器件的p型层上制造p型接触，其中与具有基本上相似组成的极性(Al，Ga，In)N器件的p型接触相比，该p型接触具有更低的接触电阻率。在冷却步骤之后和金属沉积步骤之前，可对p型层进行氯化氢(HCl)预处理。 | ||
| 搜索关键词： | 获得 极性 al ga in 电阻 接触 技术 | ||
【主权项】：
制造(Al，Ga，In)N器件的方法，包括：在(Al，Ga，In)N器件上生长p型层，其中所述(Al，Ga，In)N器件是非极性或半极性(Al，Ga，In)N器件，和所述p型层是非极性或半极性(Al，Ga，In)N层；和在存在双(环戊二烯基)镁(Cp2Mg)的情况下，冷却所述p型层，以在所述p型层上形成镁‑氮化物(MgxNy)层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
