[发明专利]利用位于一个或一个以上表面上的氧化锌纳米棒阵列的发光二极管结构和产生所述氧化锌纳米棒阵列的低成本方法无效
申请号: | 201080049857.2 | 申请日: | 2010-11-03 |
公开(公告)号: | CN102598271A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 弗雷德里克·F·兰格;雅各布·J·理查森;丹尼尔·B·汤普森;英格丽德·科斯洛;河俊硕;史蒂文·P·登巴尔斯;周司·中村 | 申请(专利权)人: | 加利福尼亚大学董事会 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及制造具有改良光提取效率的发光二极管的方法,其包括通过从水性溶液生长多个氧化锌ZnO纳米棒在基于III-氮化物的LED的一个或一个以上表面上沉积所述ZnO纳米棒,其中所述表面与III-氮化物的c-平面表面不同且透射由所述LED生成的光。 | ||
搜索关键词: | 利用 位于 一个 以上 表面上 氧化锌 纳米 阵列 发光二极管 结构 产生 低成本 方法 | ||
【主权项】:
一种制造具有改良光提取效率的发光二极管LED的方法,其包括:在基于III‑氮化物的LED的一个或一个以上透光表面上生长多个氧化锌ZnO纳米棒,其中所述ZnO纳米棒是在至少一个与所述基于III‑氮化物的LED的c+‑平面表面不同的透光表面上生长。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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