[发明专利]化合物半导体器件无效
| 申请号： | 201080050469.6 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102687293A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 足立真宽;德山慎司;片山浩二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/16;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了与电极的接触电阻下降的化合物半导体器件。所述化合物半导体器件包含：包含六方晶系化合物半导体GaN且具有表面S1和S2的n衬底3；形成在所述n衬底3的所述表面S1上的n电极13；具有形成在所述n衬底3的所述表面S2上的n覆盖层5、有源层7、p覆盖层9和接触层11的层叠体；和形成在所述p覆盖层9上的p电极15。在所述n衬底3的所述表面S1上包含的N原子的数目大于在所述表面S1上包含的Ga原子的数目。在所述表面S1上形成的电极为n电极13。所述表面S1的氧浓度为5原子%以下。在所述接触层11的所述表面S3上包含的Ga原子的数目大于在所述表面S3上包含的N原子的数目。在所述表面S3上形成的电极为p电极15。所述表面S3的氧浓度为5原子%以下。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，其包含：包含六方晶系化合物半导体且具有第一表面和在所述第一表面相反侧上的第二表面的化合物半导体层；形成在所述化合物半导体层的所述第一表面上的第一电极；具有在所述化合物半导体层的所述第二表面上的多个半导体层、且所述多个半导体层堆叠而成的层叠体；以及形成在所述层叠体上的第二电极，所述第一表面的阴离子型原子的数目大于所述第一表面的阳离子型原子的数目，所述第一电极为n电极，所述第一表面的氧浓度为5原子%以下，且所述化合物半导体层包含III族氮化物半导体或SiC。
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