[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201080050571.6 | 申请日： | 2010-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN102640279A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 盐野入丰;野田耕生 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/08;H01L27/088;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;朱海煜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一个目的是提供一种具有减少的待机功率的半导体器件。包含氧化物半导体作为有源层的晶体管被用作开关元件，并通过该开关元件来控制电源电压向集成电路中的电路的供应。具体地说，当该电路处于动作状态时，通过该开关元件进行电源电压向该电路的供应，并且当该电路处于停止状态时，通过该开关元件停止电源电压向该电路的供应。另外，供应有电源电压的该电路包括用半导体形成的作为集成电路中所含的最小单位的半导体元件。此外，该半导体元件中所含的半导体包含具有结晶性的硅(晶体硅)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：电路，包含第一晶体管；以及第二晶体管，配置成控制电源电压向所述电路的供应，其中，所述第一晶体管的沟道形成区包含具有结晶性的硅，并且所述第二晶体管的沟道形成区包含氧化物半导体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080050571.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
