[发明专利]用于生产TFT基质的蚀刻方法无效
| 申请号： | 201080050917.2 | 申请日： | 2010-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102754201A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 马尔塞洛·里瓦 | 申请（专利权）人： | 苏威氟有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于液晶显示器(LCD)的一种薄膜晶体管(TFT)基质可以通过进行形成多个层的几个步骤以及部分地蚀刻多个层的几个步骤来制备。氟并且优选碳酰氟，优选与氧气、N2O和/或氩气一起用作蚀刻气体。本发明还涉及由F2或碳酰氟、N20以及可任选的氩气所组成的一种气体混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 tft 基质 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造TFT基质的方法，包括其中用气体蚀刻剂蚀刻包括氮化硅或a‑Si的层的至少一个步骤，其中该蚀刻剂包括碳酰氟(COF2)、F2或它们的混合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
