[发明专利]用于电子电路的保护元件有效
| 申请号： | 201080051064.4 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102598264A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 渠宁;A·格拉赫 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有集成的半导体装置的保护元件和一种用于这样的保护元件的制造方法，所述保护元件具有至少一个肖特基二极管(S)和至少一个Z二极管或齐纳二极管(Z)，它们位于电源与电子器件之间，其中，所述肖特基二极管(S)的正极与所述电源连接并且所述肖特基二极管(S)的负极与所述电子器件和所述齐纳二极管的负极连接，所述齐纳二极管的正极接地。所述肖特基二极管(S)是沟槽MOS势垒结二极管或沟槽MOS势垒肖特基二极管(TMBS)或沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)并且包括一个集成的半导体装置，其具有至少一个沟槽MOS势垒肖特基二极管和p掺杂的衬底，所述衬底充当Z二极管或齐纳二极管(Z)的正极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子电路 保护 元件 | ||
【主权项】：
具有至少一个肖特基二极管(S)和至少一个Z二极管或齐纳二极管(Z)的保护元件，所述至少一个肖特基二极管和所述至少一个Z二极管或齐纳二极管位于电源与电子器件之间，其中，所述肖特基二极管(S)的正极与所述电源连接并且所述肖特基二极管(S)的负极与所述电子器件和所述齐纳二极管的负极连接，所述齐纳二极管的正极接地，其特征在于，所述肖特基二极管(S)是沟槽MOS势垒结二极管或沟槽MOS势垒肖特基二极管(TMBS)或沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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