[发明专利]用于从离子源部件清除残余物的方法和设备有效
申请号: | 201080051134.6 | 申请日: | 2010-11-12 |
公开(公告)号: | CN102612731A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 阿西木·斯里瓦斯塔瓦;威廉·迪韦尔吉利奥;格伦·吉尔克里斯特 | 申请(专利权)人: | 艾克塞利斯科技公司 |
主分类号: | H01J37/08 | 分类号: | H01J37/08;H01J37/317 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在此所公开的技术有助于从分子束部件清除残余物。例如,在示例性方法中,沿着束路径提供分子束,使得残余物产生在分子束部件上。为了减少残余物,分子束部件被暴露到氢氟碳化物等离子。根据是否符合第一预定条件来结束至氢氟碳化物等离子的暴露,第一预定条件表示残余物的移除程度。其它方法和系统也同时被公开。 | ||
搜索关键词: | 用于 离子源 部件 清除 残余物 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种用于从离子源部件移除残余物的方法,所述离子源部件用于提取分子束,所述方法包括以下步骤:使用包括氟的第一等离子来帮助从所述离子源部件移除所述残余物。
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