[发明专利]用于从离子源部件清除残余物的方法和设备有效

专利信息
申请号: 201080051134.6 申请日: 2010-11-12
公开(公告)号: CN102612731A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 阿西木·斯里瓦斯塔瓦;威廉·迪韦尔吉利奥;格伦·吉尔克里斯特 申请(专利权)人: 艾克塞利斯科技公司
主分类号: H01J37/08 分类号: H01J37/08;H01J37/317
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴敬莲
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在此所公开的技术有助于从分子束部件清除残余物。例如,在示例性方法中,沿着束路径提供分子束,使得残余物产生在分子束部件上。为了减少残余物,分子束部件被暴露到氢氟碳化物等离子。根据是否符合第一预定条件来结束至氢氟碳化物等离子的暴露,第一预定条件表示残余物的移除程度。其它方法和系统也同时被公开。
搜索关键词: 用于 离子源 部件 清除 残余物 方法 设备
【主权项】:
一种用于从离子源部件移除残余物的方法,所述离子源部件用于提取分子束,所述方法包括以下步骤:使用包括氟的第一等离子来帮助从所述离子源部件移除所述残余物。
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