[发明专利]微电子体器件及制造其的方法有效
| 申请号： | 201080051284.7 | 申请日： | 2010-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102725845B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | M.K.罗伊;B.M.罗伯茨;约翰·S·古泽克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/50;H01L23/12;H01L23/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;卢江 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种微电子器件包括其中有第一导电路径(111)的第一衬底(110)和在第一衬底上方且其中具有第二导电路径(121)的第二衬底(120)，其中，第一导电路径和第二导电路径电连接到彼此并形成电感器(130)的电流回路(131)的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微电子器件，包括：第一衬底，其中具有第一导电路径，其中所述第一衬底包括多层衬底，所述多层衬底具有金属化和介电材料的多个交替层，金属化的每个层包括多个导体并且通过介电层与相邻金属层分隔，相邻金属层通过被交错的或者根本不重叠而是通过在它们之间延展的导电迹线来连接的一个或多个微通路进行电互连，其中所述第一导电路径包括所述相邻金属层以及电互连所述相邻金属层的、被交错的或者根本不重叠而是通过在它们之间延展的导电迹线来连接的所述一个或多个微通路；以及第二衬底，在所述第一衬底上方，所述第二衬底其中具有第二导电路径，其中：所述第一导电路径和所述第二导电路径电连接到彼此并形成电感器的电流回路的一部分。
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