[发明专利]具有电极处RF匹配的大面积等离子体处理腔室有效
申请号: | 201080051480.4 | 申请日: | 2010-11-17 |
公开(公告)号: | CN102598876B | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | C·索伦森;J·M·怀特;J·库德拉 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;H05H1/34 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种具有电极处RF匹配的等离子体处理系统以及利用该系统来处理基板的方法。一实施例中,等离子体处理系统包括腔室主体、基板支撑件、电极、盖组件与RF调谐元件。基板支撑件置于界定于腔室主体中的处理空间中。电极置于基板支撑件上方与盖组件的盖件下方。RF调谐元件置于盖件与电极之间且耦接至电极。 | ||
搜索关键词: | 具有 电极 rf 匹配 大面积 等离子体 处理 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理系统,包括:腔室主体,所述腔室主体具有界定处理空间的腔室侧壁、底部与盖组件,所述盖组件由所述腔室侧壁所支撑;基板支撑件,所述基板支撑件配置于所述腔室主体的处理空间中;气体分配板,所述气体分配板配置于所述基板支撑件上方;背板,所述背板由所述盖组件所支撑,所述背板支撑所述气体分配板;接地盖件,所述接地盖件配置于所述盖组件上方且覆盖所述背板;RF功率源;RF供给,所述RF供给透过所述接地盖件耦接至所述RF功率源;分配器,所述分配器配置于所述接地盖件与所述背板之间,所述分配器耦接至所述RF供给;多个RF子供给,所述多个RF子供给配置于所述接地盖件与所述背板之间;所述多个RF子供给透过所述分配器耦接至所述RF供给;多个电容性负载元件,所述多个电容性负载元件配置于所述接地盖件与所述背板之间,所述多个负载元件的各自一者耦接一各自的RF子供给至所述接地盖件;多个RF调谐元件,所述多个RF调谐元件耦接于所述背板,所述RF调谐元件配置于所述接地盖件与所述背板之间,所述多个RF调谐元件的各自一者耦接一各自的RF子供给至所述背板;及RF气体馈通,所述RF气体馈通提供气体管道,所述气体管道穿过所述接地盖件且进入界定于所述气体分配板与所述背板之间的气室。
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