[发明专利]使用玻璃键合层制造半导体结构和器件的方法,和用所述方法形成的半导体结构和器件有效
申请号: | 201080051652.8 | 申请日: | 2010-09-24 |
公开(公告)号: | CN102741999A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | F·勒泰特 | 申请(专利权)人: | SOITEC公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 制造半导体结构和器件的方法,所述方法包括使用玻璃将种子结构键合至衬底。种子结构可包含半导体材料的晶体。可通过使用玻璃键合至衬底的种子结构的热处理来控制种子结构中的应变状态。种子结构可以室温下的压缩应变状态安置。可使用键合至玻璃的种子结构以生长半导体材料,或在其它方法中,可使用玻璃将种子结构键合至第一衬底,热处理以控制种子结构中的应变状态,且可使用非玻璃材料将第二衬底键合至种子结构的相反面。 | ||
搜索关键词: | 使用 玻璃 键合层 制造 半导体 结构 器件 方法 形成 | ||
【主权项】:
一种制造半导体结构或器件的方法,所述方法包括:使用玻璃键合层将至少基本上由半导体材料的单晶构成的至少一个种子结构键合至载体衬底;选择所述载体衬底使其包含的材料显示的热膨胀系数高于所述至少一个种子结构的半导体材料的单晶显示的热膨胀系数;在高于玻璃键合层的玻璃材料的玻璃化转变温度的温度下将至少一个半导体材料层沉积在至少一个种子结构上方,同时将至少一个种子结构支撑在玻璃键合层上;将至少一个半导体材料层沉积在至少一个种子结构上方之后,将所述至少一个半导体材料层、所述至少一个种子结构、所述玻璃键合层、和所述载体衬底冷却至室温;和当将所述至少一个半导体材料层、所述至少一个种子结构、所述玻璃键合层和所述载体衬底从低于玻璃键合层的玻璃材料的玻璃化转变温度的温度冷却至室温时,使用载体衬底的热收缩使所述至少一个种子结构的半导体材料的单晶压缩应变。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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