[发明专利]用于制造LED用蓝宝石单晶基板的蓝宝石单晶、LED用蓝宝石单晶基板、发光元件以及它们的制造方法无效
| 申请号： | 201080051654.7 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102612575A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 楠木克辉 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/20 | 分类号： | C30B29/20;C30B15/04;C30B33/02;H01L21/20;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为杂质Ti的含量最优化的用于制造LED用蓝宝石单晶基板的蓝宝石单晶、LED用蓝宝石单晶基板、发光元件以及它们的制造方法，将Ti含量多的氧化铝作为原料，在非活性气体气氛下在坩埚中熔融，使由蓝宝石单晶构成的晶种与得到的熔体接触，一边旋转一边提拉晶种，从而制造蓝宝石单晶的锭，冷却后，切取蓝宝石单晶基板，使该蓝宝石单晶基板的Ti含量为超过12ppm且100ppm以下，从而可以获得应变及气泡缺陷减少了的LED用蓝宝石单晶基板。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 led 蓝宝石 单晶基板 发光 元件 以及 它们 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造LED用蓝宝石单晶基板的蓝宝石单晶，其特征在于，Ti含量为超过12ppm且100ppm以下。
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