[发明专利]用于检测等离子体处理系统中等离子体约束状态的方法及装置有效
申请号: | 201080051817.1 | 申请日: | 2010-11-19 |
公开(公告)号: | CN102612738A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 约翰·C·小瓦尔科;詹姆斯·罗格斯 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/3065;H01L21/687 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了用于检测在电容耦合RF驱动的等离子体处理腔室内的等离子体约束状态的变化的方法和系统。在一个或多个实施方案中,等离子体无约束检测方法采用了模拟电路或数字电路,模拟电路或数字电路能够主动轮询具有静电卡盘(ESC)形式的功率馈送电极处的RF电压以及负责将晶片卡接到ESC的电源(PSU)的开环响应。电路提供了检测传送至ESC的RF电压的变化以及PSU的开环响应的变化的器件。通过同时监测这些电信号,所公开的算法能够检测等离子体从约束状态变为无约束状态的时间。 | ||
搜索关键词: | 用于 检测 等离子体 处理 系统 约束 状态 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种用于检测等离子体处理腔室中的等离子体无约束的方法,所述等离子体处理腔室具有静电(ESC)卡盘,所述方法包括:将RF电压提供给所述ESC卡盘;设置ESC电源单元,所述ESC电源单元被配置为将DC偏压提供给所述ESC卡盘,所述ESC电源单元连接有中间抽头以接收所述RF电压;同时监测所述RF电压和所述中间抽头的变化,所述变化指示等离子体无约束状况;以及如果通过所述监测检测到所述等离子体无约束状况,则提供指示所述等离子体无约束状况存在的信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080051817.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:结构化硅电池阳极
- 下一篇:电断层摄影设备和方法以及电流驱动器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造