[发明专利]形成于N-掺杂衬底上的多结太阳能电池无效
| 申请号： | 201080052437.X | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102668133A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·W·维摩;侯曼·B·禺恩;维基特·A·萨博尼斯;迈克尔·J·谢尔登 | 申请（专利权）人： | 太阳结公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;姚志远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了“n-on-p”型多结太阳能电池结构，其利用了n型衬底用于III-V半导体材料的外延生长，其中“p-on-n”隧道结二极管设置在衬底与III-V半导体材料的一个或多个异质外延层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 掺杂 衬底 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：衬底，由n‑掺杂半导体材料构成，并与金属导体电接触；p‑on‑n隧道结二极管，设置于所述衬底之上；一个或多个n‑on‑p结，设置于所述隧道结二极管之上；金属栅格，与最上层半导体电接触，其中所述衬底、所述p‑on‑n隧道结二极管、所述一个或多个n‑on‑p结以及所述金属栅格共同形成光伏装置。
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