[发明专利]结晶半导体膜的制造方法

摘要

本发明提供一种结晶半导体膜的制造方法，在对非单晶半导体膜进行激光退火时，能够用恰当的扫描间距和照射次数来使所述半导体膜结晶。该结晶半导体膜的制造方法是在非单晶半导体膜上照射线光束形状的脉冲激光来使非单晶半导体膜结晶，其中，脉冲激光在扫描方向上的光束截面形状具有强度均匀的平坦部（光束宽度a），通过脉冲激光照射而结晶的半导体膜所形成的晶体管的沟道区域宽度为b，脉冲激光具有的照射脉冲能量密度E低于使非单晶半导体膜发生微晶化的照射脉冲能量密度，通过具有照射脉冲能量密度E的脉冲激光的照射而使结晶粒径生长达到饱和的照射次数为n0，则脉冲激光的照射次数n为（n0-1）以上，脉冲激光在扫描方向上的移动量c为b/2以下。

主权项

一种结晶半导体膜的制造方法，通过在非单晶半导体膜上相对地扫描并照射线光束形状的脉冲激光来使所述非单晶半导体膜结晶，其特征在于，所述脉冲激光在扫描方向上的光束截面形状具有强度均匀的平坦部，通过该脉冲激光的照射而结晶的半导体膜所形成的晶体管在所述扫描方向上的沟道区域宽度为b，所述脉冲激光具有的照射脉冲能量密度E低于通过该脉冲激光的照射而使所述非单晶半导体膜发生微晶化的照射脉冲能量密度，通过具有所述照射脉冲能量密度E的脉冲激光的照射而使结晶粒径生长达到饱和时的照射次数为n0，则脉冲激光的照射次数n为（n0－1）以上，所述脉冲激光在所述扫描方向上的每一个脉冲的移动量c为b/2以下。