[发明专利]用于形成钝化发射极的银背面电极以及形成背面接触硅太阳能电池的方法无效
| 申请号： | 201080052455.8 | 申请日： | 2010-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102640231A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | A·G·普林斯;R·J·S·杨;G·劳迪辛奥;G·库尔塔特;K·W·杭;B·怀特勒 | 申请（专利权）人： | E·I·内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01B1/22 | 分类号： | H01B1/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于形成PERC硅太阳能电池的导电银背面电极的方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供硅片，所述硅片在其正面上具有ARC层并且在其背面上具有穿孔的介电钝化层；(2)在硅片的背面上施加并干燥银浆以在穿孔的介电钝化层上形成银背面电极图案；以及(3)焙烧干燥的银浆，从而使晶片达到700-900℃的峰值温度，其中银浆不具有烧透能力或仅具有较差的烧透能力，并且包含粒状银和有机载体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 钝化 发射极 背面 电极 以及 接触 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
用于形成PERC硅太阳能电池的导电银背面电极的方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供硅片，所述硅片在其正面上具有ARC层并且在其背面上具有穿孔的介电钝化层，(2)在所述硅片的背面上施加并干燥银浆以在穿孔的介电钝化层上形成银背面电极图案，以及(3)焙烧所述干燥的银浆，从而使所述晶片达到700‑900℃的峰值温度，其中所述银浆不具有烧透能力或仅具有较差的烧透能力，并且包含粒状银和有机载体。
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