[发明专利]将湿式处理用于源极-漏极金属蚀刻从而制造金属氧化物或金属氮氧化物TFT的方法

摘要

本发明大体上关于薄膜晶体管(TFT)以及制做TFT的方法。TFT的有源沟道可包含一种以上的金属，这些金属选自由锌、镓、锡、铟及镉所构成的群组。有源沟道亦可包含氮及氧。为了在源极-漏极电极图案化期间保护有源沟道，可沉积蚀刻停止层于有源层上。蚀刻停止层防止有源沟道暴露至用于界定源极与漏极电极的等离子体。当对用于有源沟道的有源材料层进行湿式蚀刻时，该蚀刻停止层与源极和漏极电极可被用作掩模。

主权项

一种薄膜晶体管形成方法，包含：使用第一掩模在一基板上沉积与图案化一栅极电极；沉积一栅极介电层于该栅极电极上；沉积一半导体有源层于该栅极介电层上，该半导体有源层包含氧、氮以及选自由锌、铟、镉、镓及锡所构成的群组中的一种或多种元素；沉积一蚀刻停止层于该有源层上；形成第二掩模于该蚀刻停止层上；蚀刻该蚀刻停止层以形成该薄膜晶体管的元件部份的图案化蚀刻停止层，并且从该薄膜晶体管的栅极触点部份移除该蚀刻停止层以暴露该半导体有源层；移除该第二掩模以暴露该图案化蚀刻停止层；沉积一金属层于该图案化蚀刻停止层及该半导体有源层上；于该薄膜晶体管的该元件部份处，形成第三掩模于该金属层上；蚀刻该金属层，以界定一源极电极与一漏极电极于该元件部份处，并且从该栅极触点部份移除该金属层；移除该第三掩模；使用该源极电极与漏极电极做为掩模来蚀刻该半导体有源层，以从该栅极触点部份移除该半导体有源层并且暴露该栅极触点部份中的栅极介电层；以及使用第四掩模来蚀刻该栅极介电层，以暴露该栅极触点部份中的栅极触点。