[发明专利]自对准接触部有效
| 申请号： | 201080054553.5 | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102640291A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | M·T·博尔;T·加尼;N·M·拉哈尔-乌拉比;S·乔希;J·M·施泰格瓦尔德;J·W·克劳斯;J·黄;R·马茨凯维奇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种晶体管，包括衬底、在所述衬底上的间隔体对、在所述衬底上且在所述间隔体对之间的栅极电介质层、在所述栅极电介质层上且在所述间隔体对之间的栅电极层、在所述栅电极层上且在所述间隔体对之间的绝缘帽层以及邻近所述间隔体对的扩散区对。所述绝缘帽层形成蚀刻停止结构，所述蚀刻停止结构与所述栅极自对准，并且防止接触部蚀刻使所述栅电极暴露，由此防止所述栅极与所述接触部之间的短路。所述绝缘帽层能够使接触部自对准，这使得较宽接触部的初始构图对构图限制而言更加鲁棒。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 接触 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：衬底；在所述衬底上的间隔体对；在所述衬底上且在所述间隔体对之间的栅极电介质层；在所述栅极电介质层上且在所述间隔体对之间的栅电极层；在所述栅电极层上并且在所述间隔体对之间的绝缘帽层；以及邻近所述间隔体对的扩散区对。
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