[发明专利]蚀刻气体无效
| 申请号： | 201080054665.0 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102648171A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 高田直门;毛利勇 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | C07C19/08 | 分类号： | C07C19/08;H01L21/027;H01L21/3065;C07C53/40 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种含有CHF2COF而成的蚀刻气体。该蚀刻气体可以含有选自O2、O3、CO、CO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、XFn(式中，X表示Cl、I或Br、n为1≤n≤7的整数)、CH4、CH3F、CH2F2、CHF3、N2、He、Ar、Ne、Kr等、或选自CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HI、HBr、HCl、CO、NO、NH3、H2等、或选自CH4、CH3F、CH2F2、CHF3中的至少1种气体作为添加物。该蚀刻气体不仅对抗蚀剂的选择比、加工形状等蚀刻性能优异，且容易获得，实质上不副产对环境有负担的CF4。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 气体 | ||
【主权项】：
一种蚀刻气体，其供于对由半导体、电介质或金属形成的薄膜进行蚀刻的用途，含有CHF2COF。
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